通过原子级薄层 Nb3SiTe6 中的量子声子限域增强电子相干性
介观与纳米尺度物理
2015-05-07 v1 材料科学
摘要
二维 (2D) 材料的非凡特性，如石墨烯中极高的载流子迁移率以及过渡金属二硫属化物 MX2（M = Mo 或 W，X = S, Se）单层中的大直接带隙，凸显了量子限域在产生广泛具有重要技术意义的电子特性方面的关键作用。当前该领域的首要任务之一是寻找具有可被用于器件开发的结构和电子特性的新型二维晶体系统。在本快报中，我们报道了二维三元过渡金属硫属化物 Nb3SiTe6 的异常量子输运特性。我们表明，Nb3SiTe6 的云母状性质使其能够通过微机械剥离技术减薄至单晶胞厚度的二维晶体。当 Nb3SiTe6 晶体厚度减小到几个晶胞厚度以下时，我们在磁输运中观察到了意想不到的增强的弱反局域化信号。这一发现为长期预测的由于声子谱从三维到二维的交叉导致的电子 - 声子相互作用抑制提供了确凿证据。
引用
@article{arxiv.1504.00297,
title = {Enhancing Electron Coherence via Quantum Phonon Confinement in Atomically Thin Nb3SiTe6},
author = {J. Hu and X. Liu and C. L. Yue and J. Y. Liu and H. W. Zhu and J. B. He and J. Wei and Z. Q. Mao and L. Yu. Antipina and Z. I. Popov and P. B. Sorokin and T. J. Liu and P. W. Adams and S. M. A Radmanesh and L. Spinu and H. Ji and D. Natelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.00297},
year = {2015}
}
备注
Accepted by Nature Physics