重n掺杂PbS量子点固体中尺寸与温度依赖的带内光学研究
介观与纳米尺度物理
2020-01-14 v1 材料科学
摘要
通过重掺杂对胶体量子点（CQD）带内跃迁的稳态获取，可在低于带隙的能量处利用电磁谱。CQD带内光电子学为廉价的中长波红外光电探测器与发光器件开辟了新路径，而当今此类器件多使用外延材料。作为近期实验研究领域，对CQD中带内跃迁基本性质的透彻研究仍然缺乏。本工作中，我们研究了重n掺杂PbS量子点（QD）薄膜中带内跃迁的尺寸与温度依赖性。我们测得带内跃迁的吸收系数量级为 cm，可与带间吸收系数值相比拟。此外，我们确定了带内跃迁振子强度的尺寸依赖性。我们展示了带内能量随温度的负依赖关系，与带间跃迁的正依赖关系相反。
引用
@article{arxiv.2001.03891,
title = {Size and temperature dependent intraband optical studies of heavily n-doped PbS quantum dot solids},
author = {Iñigo Ramiro and Biswajit Kundu and Mariona Dalmases and Onur Özdemir and María Pedrosa and Gerasimos Konstantatos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03891},
year = {2020}
}