原子尺度缺陷与掺杂剂对磷烯电子结构及量子输运性质的影响
材料科学
2016-02-03 v1
摘要
通过多尺度第一性原理方法，给出了具有各类修饰的二维及窄磷烯片的局域电子结构描述。首先，基于原始及修饰后磷(P)网络的几何结构并辅以万尼尔函数形式体系，引入合理论证以描述P原子轨道的杂化模型。第一性原理计算表明，非等电子外来原子在不同能级形成准束缚态，并根据P与掺杂原子间价电子数产生不同极化态。进一步以很高精度描述了修饰后磷烯纳米带的量子输运性质。外源物种引起的能带畸变导致对传播载流子的强背散射效应。取决于载流子能量与掺杂类型，导电可能从扩散区到局域区。空位处的间隙缺陷导致跨不同掺杂原子的均匀输运指纹。我们提出，实验测量中报道的较低电荷迁移率值可能源于缺陷的存在。
引用
@article{arxiv.1602.00750,
title = {Effect of atomic-scale defects and dopants on phosphorene electronic structure and quantum transport properties},
author = {Alejandro Lopez-Bezanilla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.00750},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 7 figures