掺杂量子点中钉扎的磁性杂质能级
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
光谱数据表明，掺杂半导体纳米结构中杂质施主/受主能级在能量上是钉扎的，导致施主/受主结合能随量子限域增强而变化。利用磁圆二色光谱，测量了胶体ZnSe量子点中Co2+离子的施主结合能随量子限域的变化，并结合从头算密度泛函理论计算进行了分析。由此产生的量子点中钉扎杂质能级的实验证明，对涉及掺杂半导体纳米结构中杂质-载流子相互作用的物理现象具有深远影响，包括在新兴的半导体自旋电子学领域，其中磁性掺杂剂-载流子交换相互作用定义了稀磁半导体的功能相关性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608734,
title = {Pinned Magnetic Impurity Levels in Doped Quantum Dots},
author = {Nick S. Norberg and Gustavo M. Dalpian and James R. Chelikowsky and Daniel R. Gamelin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608734},
year = {2007}
}
备注
18 pages, 4 figures, submitted for publication