Si纳米颗粒掺杂MgB2中的关联涡旋钉扎

我们测量了表征良好的Si纳米颗粒掺杂和未掺杂的Cu包套MgB$_{2}$带材在温度$T\geq 28$ K、磁场$B\leq 0.9$ T下的磁电阻率和临界电流密度。掺杂带材的不可逆线$B_{irr}(T)$显示出阶梯状变化，在0.3 T附近出现扭结。这种$B_{irr}(T)$变化是具有柱状缺陷的高温超导体的典型特征（在匹配场$B_{\phi}$附近出现扭结），与未掺杂MgB$_{2}$样品中平滑的$B_{irr}(T)$变化截然不同。纳米颗粒掺杂MgB$_{2}$样品的微观结构研究显示均匀分散的纳米析出物，这些析出物可能作为关联无序。掺杂和未掺杂带材的临界电流密度和钉扎力密度随磁场变化的差异支持了上述发现。