Ni 掺杂 BaFe2As2 单晶中的体磁化强度与强本征钉扎
超导电性
2013-03-06 v1
摘要
我们报道了对磁场高达 14T 下 Ni 掺杂 BaFe2-xNixAs2 单晶（x=0.1 和 x=0.14）的等温不可逆磁化回路（M(H)）的测量结果。对于两个样品，在磁场 H//c 轴和 H//ab 面方向，由 M(H) 曲线计算出的临界电流密度在低温下均超过 10^6 A/cm^2，表明我们的晶体中存在强本征钉扎。在 2-17K 的宽温区内，两种磁场取向下的近最佳掺杂单晶均表现出二次磁化峰（鱼尾效应）。对于 H//c 轴方向，在不同温度下测得的归一化钉扎力随约化磁场变化的曲线遵循标度关系，BaFe1.86Ni0.14As2 晶体的峰值位置为 0.33，BaFe1.9Ni0.1As2 样品的峰值位置为 0.4，表明存在单一正常点钉扎机制。截然不同的是，在 H//ab 面取向下，曲线不存在标度行为。
引用
@article{arxiv.1211.1789,
title = {Bulk magnetization and strong intrinsic pinning in Ni-doped BaFe2As2 single crystals},
author = {K. S. Pervakov and V. A. Vlasenko and E. P. Khlybov and A. Zaleski and V. M. Pudalov and Yu. F. Eltsev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1789},
year = {2013}
}
备注
20 pages, 6 figures, 1 table, 24 references