硅纳米颗粒的掺杂：氧化的影响
材料科学
2015-06-05 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
采用第一性原理密度泛函方法研究了氧化游离硅纳米颗粒中硼和磷的优先位置。计算的形成能表明，磷应偏析到硅核中，而硼在Si和SiO₂区域中同样稳定。因此，我们的模型表明，与具有氢终止表面的纳米晶体相反，氧化硅纳米颗粒中磷掺入的效率可以通过热退火来提高。
引用
@article{arxiv.1207.0770,
title = {Doping of Si nanoparticles: the effect of oxidation},
author = {A. Carvalho and S. Oberg and M. Barroso and M. J. Rayson and P. R. Briddon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.0770},
year = {2015}
}