接地砷掺杂硅团簇的场蒸发
计算物理
2015-08-04 v1 材料科学
摘要
我们利用密度泛函理论研究了由 52 个原子组成的接地砷 (As) 掺杂硅 (Si) 团簇的场蒸发，以模拟基板上站立的数百纳米长的硅纳米结构。研究了具有不同 As 掺杂浓度和掺杂位置的六种团簇结构。研究发现，掺杂浓度越高且掺杂位点越靠近表面的团簇，其临界蒸发场越低。我们将这种差异归因于不同 As 掺杂浓度和掺杂位置对应的结合能差异。我们的理论研究可为高电场下纳米尖端的稳定性提供见解。
引用
@article{arxiv.1410.3053,
title = {Field Evaporation of Grounded Arsenic Doped Silicon Clusters},
author = {Zexiang Deng and Juncong She and Zhibing Li and Weiliang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.3053},
year = {2015}
}