砷掺杂FeSe块体的合成与表征
超导电性
2025-03-18 v1 材料科学
摘要
FeSe(11)族具有属于铁基超导体(FBS)的简单晶体结构，并具有包括六方相和四方相在内的多种稳定相，但仅四方相表现出超导性。在本研究中，我们通过制备一系列FeSe1-xAsx（x = 0.005, 0.01, 0.02, 0.05, 0.1和0.2）块体，研究了在FeSe体系中Se位As掺杂产生的化学压力效应。对这些样品进行了结构、微观结构、输运和磁测量等广泛表征。所得晶格参数因As掺杂而增大，这表明在高达5%的低掺杂含量下As成功插入Se位进入四方晶格，而较高的As掺杂则以FeAs杂质相的形式出现。所有样品电阻率的温度依赖性具有相似的行为，并表现出约11.5 K的最高起始转变温度，但在测量温度降至7 K之前未达到零电阻率，这可能是由于杂质相的存在。我们的研究表明，具有大离子半径的掺杂剂（即砷）促进了11族六方相的形成，并在少量掺杂水平下对超导性能有效，而较高的As掺杂水平则会降低超导性能。
引用
@article{arxiv.2502.21124,
title = {Synthesis and characterizations of arsenic doped FeSe bulks},
author = {Priya Singh and Manasa Manasa and Mohammad Azam and Tatiana Zajarniuk and Konrad Kwatek and Tomasz Cetner and Andrzej Morawski and Jan Mizeracki and Shiv J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.21124},
year = {2025}
}
备注
18 pages, 6 figures