硅中砷团簇化的机制
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
提出并分析了一个硅中砷团簇化的模型。该模型的主要特征是假设带负电的砷络合物在团簇化过程中起主导作用。为证实这一假设，计算了电子密度和掺入团簇的杂质原子浓度作为总砷浓度的函数。研究了包含一个点缺陷和一个或多个砷原子的带负电团簇。结果表明，对于双负电团簇或包含多于一个砷原子的团簇，电子密度达到最大值，然后随着总砷浓度的增加而单调缓慢下降。在包含两个砷原子的双负电团簇的情况下，计算出的电子密度与实验数据吻合良好。与实验的一致性证实了两个砷原子参与团簇形成的结论。在所有现有模型中，所提出的通过形成包含两个砷原子的双负电团簇进行团簇化的模型对实验数据的拟合最好，可用于高浓度砷扩散的模拟。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512653,
title = {Mechanisms of arsenic clustering in silicon},
author = {F. F. Komarov and O. I. Velichko and V. A. Dobrushkin and A. M. Mironov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512653},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures. Revised and shortened version of the paper has been published in Phys. Rev. B, Vol.74 (3), art. no. 035205 (2006)