硅中磷原子的团簇化
材料科学
2011-09-20 v1 其他凝聚态物理
摘要
为了解释高磷浓度下电子密度饱和的效应，将带负电磷团簇的模型与实验数据进行了比较。在920和1000摄氏度的温度下，研究了一系列包含点缺陷和磷原子的带负电团簇。结果表明，对于包含多于一个磷原子的团簇，计算出的电子密度达到最大值，然后随着总掺杂剂浓度的增加而单调缓慢下降。如果团簇包含3-4个磷原子，则计算出的载流子浓度依赖关系与两种温度下的实验数据吻合良好，无论团簇的负电荷态（-或2-）如何。此外，对于所有研究的双负电荷团簇，拟合参数与温度无关。这意味着双负电荷团簇的形成最有可能，但很难在包含两个、三个或四个磷原子的团簇之间做出选择。从计算曲线与实验的良好吻合来看，基于带负电团簇形成的模型可用于模拟高浓度磷扩散。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607668,
title = {Clustering of phosphorus atoms in silicon},
author = {O. I. Velichko and N. A. Sobolevskaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607668},
year = {2011}
}
备注
16 pages, 6 figures, LaTex