掺杂 BaFe$_2$As$_2$ 材料的电子结构：虚晶近似与超晶胞方法的比较
超导电性
2016-12-21 v1
摘要
采用虚晶近似和超晶胞方法进行掺杂，我们通过第一性原理模拟对各种掺杂 BaFeAs 材料的电子结构进行了比较研究。在空穴掺杂（Ba位K掺杂）和等电子As位P掺杂的情况下，这两种方法给出相似的态密度和能带结构。但在较高掺杂浓度的电子掺杂体系中，使用虚晶近似方法计算的电子结构与超晶胞方法的结果偏离。另一方面，对于通过虚晶近似实现的等电子Ru掺杂，观察到与超晶胞方法相比电子结构中化学势的额外偏移，并且如我们所计算的费米面所反映的，该偏移可用于在虚晶近似内预测正确的电子结构。但对于较高的Ru掺杂浓度，简单的化学势偏移不再适用，因为虚晶近似方法计算的电子结构与超晶胞形式计算的完全不同。
引用
@article{arxiv.1509.02635,
title = {Electronic structures of doped BaFe$_2$As$_2$ materials: virtual crystal approximation versus super-cell approach},
author = {Smritijit Sen and Haranath Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.02635},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 17 figures