C60晶体的场掺杂：理论视角
材料科学
2007-05-23 v1 超导电性
摘要
利用场效应掺杂有机晶体的提议引起了极大的兴趣。为了评估这种方法的可行性，我们研究了强电场对C60晶体电子结构的影响。通过计算分子极化率和分子能级劈裂随外场的变化，我们确定了在多大场强下C60的电子结构基本保持不变，从而可以称之为场效应掺杂，即把电荷载流子注入到其他方面不变的态中。超过这些场强，电子结构变化如此之大，以至于不能再称之为掺杂系统。此外，我们还讨论了整数掺杂时的金属-绝缘体转变问题，并简要回顾了用于解释场掺杂C60(插层卤仿分子)中超导转变温度升高的提议机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305274,
title = {Field-doping of C60 crystals: A view form theory},
author = {Erik Koch and Olle Gunnarsson and Samuel Wehrli and Manfred Sigrist},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305274},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures; proceedings of the IWEPNM'03, Kirchberg