掺杂与共掺杂硅纳米晶体：表面与界面的作用
材料科学
2018-07-17 v1
摘要
Si 纳米晶体因其新颖性质及在电子、光电子、光伏、热电和生物器件中的潜在应用而被广泛研究。这些新性质通过载流子量子限制与表面化学的强烈影响相结合而实现。如同体相 Si 的情况，电子、光学和输运性质的调控与以受控方式对纳米晶体进行掺杂的可能性相关。这是一大挑战，因为若干研究揭示 Si 纳米晶体中的掺杂不同于体相。理论与实验均强调掺杂和共掺杂受大量参数影响，如硅纳米晶体的尺寸、形状、钝化及化学环境。然而，这些参数与掺杂剂局域化以及自纯化效应出现之间的联系仍不清楚。本综述从理论与实验两方面总结了这一引人入胜研究领域的最新进展，考虑自由-standing 与嵌于基质中的 Si 纳米晶体，并特别关注第一性原理计算所得结果以及尺寸、表面和界面诱导的效应。
引用
@article{arxiv.1807.05304,
title = {Doped and Codoped Silicon Nanocrystals: the Role of Surfaces and Interfaces},
author = {Ivan Marri and Elena Degoli and Stefano Ossicini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.05304},
year = {2018}
}