氮在SiC/SiO$_2$界面及SiC侧引入对电子态影响的第一性原理计算研究
材料科学
2023-07-05 v1
摘要
本研究使用第一性原理计算，考察在SiC表面数纳米内引入氮作为掺杂剂时，SiC/SiO界面处电子的行为。当在SiC(110)表面数纳米内引入高掺杂氮层（510 cm）时，若掺杂区小于4 nm，电子态未受显著影响。然而，若掺杂区超过4 nm，量子限制效应减弱，导致反型层中诱导的电子密度增加。就波函数而言，即便施加电场，其峰值也向电子被拉离界面的方向偏移。这降低了界面处电子散射的影响，提高了电子迁移率。
引用
@article{arxiv.2303.08527,
title = {Effect of nitrogen introduced at the SiC/SiO$_2$ interface and SiC side on the electronic states by first-principles calculation},
author = {Keita Tachiki and Yusuke Nishiya and Jun-ichi Iwata and Yu-ichiro Matsushita},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.08527},
year = {2023}
}