利用氮掺杂 Ta 底层增强 Ta|CoFeB|MgO 中的界面垂直磁各向异性
材料科学
2015-06-16 v1
摘要
我们表明，通过在 Ta 底层中掺杂氮，可以强烈影响 Ta|CoFeB|MgO 磁性异质结构的磁特性。特别是，掺杂 Ta 底层后饱和磁化强度下降，表明掺杂底层起到了硼扩散阻挡层的作用。此外，磁性死层的厚度随着氮掺杂量的增加而减小。令人惊讶的是，当在 Ta 底层中引入最佳量的氮时，界面磁各向异性增加至约 1.8 erg/cm²。这些结果表明，氮掺杂 Ta 可作为自旋电子学应用（包括磁性隧道结和畴壁器件）的良好底层。
引用
@article{arxiv.1305.6660,
title = {Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in Ta|CoFeB|MgO using nitrogen doped Ta underlayers},
author = {Jaivardhan Sinha and Masamitsu Hayashi and Andrew J. Kellock and Shunsuke Fukami and Michihiko Yamanouchi and Hideo Sato and Shoji Ikeda and Seiji Mitani and See-hun Yang and Stuart S. P. Parkin and Hideo Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.6660},
year = {2015}
}