SiC/SiO$_2$界面处由原子堆叠序列控制的新型本征界面态
材料科学
2017-11-22 v1
摘要
基于第一性原理总能量电子结构计算，我们发现SiC/SiO界面处的界面局域电子态出现在SiC体相导带底（CBM）以下0.3 eV至以上1.2 eV的能量区间内，并且对界面附近SiC中原子双层序列敏感。这些过去未被认识的新界面态源于CBM态沿晶体学通道分布的奇特特性。我们还发现电子掺杂改变了不同堆叠结构之间的能量关系。讨论了在不同SiC表面上制造的电子器件性能的启示。
引用
@article{arxiv.1704.07094,
title = {A novel intrinsic interface state controlled by atomic stacking sequence at interfaces of SiC/SiO$_2$},
author = {Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.07094},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 4 figures