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固态量子计算系统中量子比特态的电子控制与读出

其他凝聚态物理 2007-05-23 v2

摘要

我们证明,对于基于浅杂质的量子计算系统,n+/i/n+n^+/i/n^+ 结是量子比特态电子控制与读出的最合适候选者。该系统的特征在于,n+n^+ 区作为金属电极,通过自诱导势垒(内功函数)与 ii 区分离。n+/i/n+n^+/i/n^+ 系统模拟了金属-真空-金属结的性质,其中量子比特(杂质原子)置于两个“金属” n+n^+ 电极之间的“真空” ii 区。我们将证明,自诱导势垒在 n+n^+ 半导体中足够宽的掺杂浓度范围内存在(例如对 Si 高达 102110^{21} cm3^{-3}),且其高度可通过调节掺杂水平来控制。置于真空 ii 区的浅施主在平衡态下将被一个电子占据。对于 Si 中的 Li 施主,n+n^+ 电极将用于在生长过程中精确放置 Li 原子;用于量子比特态的电压控制与操纵;以及通过光学激发的共振隧穿进行量子比特读出。我们系统的另一个重要特征是,量子比特态(Si 中 Li 的两个最低能级)与控制电极的多体态连续谱之间存在能隙。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0601337,
  title  = {Electronic Control and Readout of Qubit States in Solid State Quantum Computing Systems},
  author = {A. G. Petukhov and V. V. Osipov and V. N. Smelyanskiy},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601337},
  year   = {2007}
}