Si-SiO₂ 界面杂质电子的量子控制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 量子物理
摘要
我们在理论上考察了在硅量子计算机架构中对界面杂质电子进行量子控制的前景。特别是，我们研究了通过调节外部电场将杂质结合的电子在散体和 Si-SiO₂ 界面之间移动的可行性。我们计算了从散体到界面距离 (~10-50 nm) 对搬运时间的影响，搬运时间范围从亚皮秒到纳秒不等。我们的结果表明，尽管在这种纳米结构架构中，量子控制在原则上是可实现的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508647,
title = {Quantum control of donor electrons at the Si-SiO2 interface},
author = {M. J. Calderon and Belita Koiller and Xuedong Hu and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508647},
year = {2007}
}
备注
Version accepted for publication in PRL