Si/SiO2 界面 N-施主电子的室温量子控制
介观与纳米尺度物理
2024-01-23 v1 材料科学
摘要
本文从理论上讨论了在室温下，利用靠近 Si/SiO2 界面的单个氮（N）深施主，在硅量子计算机架构中进行基于施主原子的单量子比特操作的各个重要方面。在外加电场和磁场的影响下，对单个 N 施主原子与界面之间的室温单电子穿梭进行定量研究是关注的焦点。为了理解真实的实验配置，整个研究采用了中心胞修正与有效质量方法。此外，详细的讨论探讨了该过程中涉及的重要时间尺度及其对实验目的的适用性。还提供了成功实现相干单电子穿梭及其在界面上稳定维持所需的所有外部场的理论估计。本工作所提出的结果为在室温下利用 N 施主原子进行量子电子控制提供了实用指导。
关键词
引用
@article{arxiv.2401.11475,
title = {Room Temperature Quantum Control of N-Donor Electrons at Si/SiO2 Interface},
author = {Soumya Chakraborty and Arup Samanta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.11475},
year = {2024}
}