硅中氮用于室温单电子隧穿器件
介观与纳米尺度物理
2023-03-08 v1
摘要
单电子晶体管（SET）是量子器件中一种先进的工具。此类器件在室温下工作对于实际应用至关重要。基于掺杂剂的单电子器件已在低温下被充分研究，尽管已有少数器件为高温工作而开发但存在一定限制。在此，我们提出并从理论上展示硅中的氮（N）施主是有效设计此类器件的重要候选者。使用半经验 DFT 方法对态密度的理论计算表明，与磷（P）施主相比，硅中 N 施主具有更深的基态。我们探索了纳米硅中 N 施主与 P 施主的能谱，并给出了 N 施主与 P 施主玻尔半径的对比数据。模拟的电流-电压特性证实 N 掺杂器件更适于室温下的 SET 工作。
引用
@article{arxiv.2301.11655,
title = {Nitrogen in Silicon for Room Temperature Single Electron Tunneling Devices},
author = {Pooja Yadav and Hemant Arora and Arup Samanta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.11655},
year = {2023}
}