硅中与少电子量子点耦合的单个施主的电荷动力学
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
我们利用通过量子点的电导作为施主电离态的探针，研究了硅量子点与单个磷施主之间的电荷转移动力学。我们使用一个偏置在阈值附近的硅 n-MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），使其工作在 SET 区，并通过两个侧栅极同时控制器件电导和施主电荷。测量到的隧穿时间与温度和磁场无关。我们测量了在施主基态 D0 与 SET 态对齐时观察到的电子转移的统计信息。
引用
@article{arxiv.1203.5264,
title = {Charge dynamics of a single donor coupled to a few electrons quantum dot in silicon},
author = {G. Mazzeo and E. Prati and M. Belli and G. Leti and S. Cocco and M. Fanciulli and F. Guagliardo and G. Ferrari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.5264},
year = {2015}
}