施主-硅单电子晶体管混合结构中的电子隧穿速率
介观与纳米尺度物理
2011-01-04 v1
摘要
我们研究了一种混合结构，该结构由个注入的P原子靠近一个栅极诱导的硅单电子晶体管（SiSET）组成。在这种配置中，SiSET对附近中心的电荷状态极其敏感，当电荷配置改变时，它会从关闭状态转变为导通状态。我们提出了一种使用脉冲电压方案和低带宽电流检测来测量施主与SiSET岛之间快速电子隧穿速率的方法。使用速率方程模型对实验结果进行了定量讨论，从而能够提取捕获和发射速率。
引用
@article{arxiv.0912.2431,
title = {Electron tunnel rates in a donor-silicon single electron transistor hybrid},
author = {Hans Huebl and Christopher D. Nugroho and Andrea Morello and Christopher C. Escott and Mark A. Eriksson and Changyi Yang and David N. Jamieson and Robert G. Clark and Andrew S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2431},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 3 figures