基于草图氧化物纳米晶体管中的热激活与量子场发射
介观与纳米尺度物理
2010-09-14 v2 量子物理
摘要
我们报告了对基于草图氧化物纳米晶体管（SketchFET）器件内纳米线片段间势垒和电子耦合的直接测量。在接近室温时，开关行为由跨越由纳米线栅极控制的势垒的热激活所主导。在T=150 K以下，观察到向量子场发射的转变，该发射对SrTiO3层中的结构相变敏感。这种对源-漏和栅-漏能量势垒的直接测量对于室温逻辑和存储元件以及低温量子器件的开发至关重要。
引用
@article{arxiv.1007.5468,
title = {Thermal Activation and Quantum Field Emission in a Sketch-Based Oxide Nano Transistor},
author = {Cheng Cen and Daniela Bogorin and Jeremy Levy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.5468},
year = {2010}
}
备注
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