纳米级三栅硅晶体管边缘的亚阈值沟道
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
我们通过低温输运实验研究了三栅硅场效应晶体管的亚阈值行为。这些三维纳米级器件由光刻定义的硅纳米线构成，周围环绕着栅极，有源区小至几十纳米，最小可达50x60x35 nm^3。电导对栅极电压的依赖显示出库仑阻塞振荡，并伴有较大的充电能量，这是由于栅极下方形成了小的势阱。根据对器件几何形状的依赖性和热电子电流分析，我们得出结论：在纳米线边缘出现了几纳米宽的亚阈值沟道，从而为角效应提供了实验证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603430,
title = {Sub-threshold channels at the edges of nanoscale triple-gate silicon transistors},
author = {H. Sellier and G. P. Lansbergen and J. Caro and N. Collaert and I. Ferain and M. Jurczak and S. Biesemans and S. Rogge},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603430},
year = {2009}
}