基于LaAlO$_3$-SrTiO$_3$异质结构制造的亚微米栅长场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-02-03 v1 材料科学
强关联电子
摘要
通过研究由LaAlO-SrTiO异质结构制备的具有不同栅极长度的场效应晶体管，探讨了氧化物场效应晶体管中短沟道效应存在的可能性。研究揭示了对于低于1 {\mu}m的栅极长度存在沟道长度调制和漏致势垒降低，其特性行为可与半导体器件相比。通过制备栅极长度小至60 nm的场效应晶体管，结果表明有可能通过电子束光刻制备基于复杂氧化物的功能器件，其特征长度为数十纳米。
引用
@article{arxiv.1511.07680,
title = {Field Effect Transistors with Sub-Micrometer Gate Lengths Fabricated from LaAlO$_3$-SrTiO$_3$-Based Heterostructures},
author = {C. Woltmann and T. Harada and H. Boschker and V. Srot and P. A. van Aken and H. Klauk and J. Mannhart},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.07680},
year = {2016}
}
备注
To be published in Phys. Rev. Applied