介观 LaAlO_3/SrTiO_3 器件对栅压施加的异常响应
介观与纳米尺度物理
2015-06-12 v1
摘要
我们报道了对一系列由 LaAlO_3/SrTiO_3 单界面异质结构制备的窄台面器件进行的电阻率和霍尔测量，其桥宽范围为 1.5-10 微米。在施加几伏量级的背栅电压后，观察到样品电阻显著增加（高达 35 倍），这表明霍尔棒与栅极之间存在较大的电容。该电容的高数值归因于器件几何结构，并可在静电模型框架下利用 Thomas Fermi 近似进行解释。霍尔系数有时是栅压的非单调函数。这种行为与单导带模型不一致。我们证明，理论双带模型与此输运行为一致，并表明其中至少一个能带发生了金属 - 绝缘体转变。
引用
@article{arxiv.1301.1055,
title = {Anomalous response to gate voltage application in mesoscopic LaAlO_3/SrTiO_3 devices},
author = {David Rakhmilevitch and Izhar Neder and Moshe Ben Shalom and Alexander Tsukernik and Michel Karpovski and Yoram Dagan and Alexander Palevski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1055},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures