AlO$_x$/SrTiO$_3$界面器件中零场横向电阻的观测
介观与纳米尺度物理
2021-07-21 v1
摘要
在AlO/SrTiO（ALO/STO）界面器件中，低温下的畴壁在基于STO的异质结表面或界面形成的二维载流子气体的电输运中产生了一种新的特征：在零外磁场下霍尔棒中观测到的有限横向电阻。该横向电阻依赖于局域畴壁构型，因而随温度、栅压、热循环以及沿样品的位置而变化，甚至可随这些参数改变符号。横向电阻在70 K以下被观测到，但在40 K以下显著增长并变化，该温度处畴壁极性日益增强。令人惊讶的是，相比于(001)取向异质结，横向电阻在(111)取向异质结中要大得多。对导电界面与施加于衬底的电极之间电容的测量（反映了STO的介电常数）表明，这一差异可能与当电场沿[111]方向施加时温度依赖介电常数随电场的变化更大有关。有限横向电阻可由非均匀电流流动解释，其源于电流沿不与注入电流标称方向共线的畴壁优先输运。
引用
@article{arxiv.2011.03860,
title = {Observation of zero-field transverse resistance in AlO$_x$/SrTiO$_3$ interface devices},
author = {P. W. Krantz and V. Chandrasekhar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.03860},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 4 figures, supplementary