亚 20 nm 短沟道碳纳米管晶体管
材料科学
2015-06-24 v1
摘要
成功制造了通道长度小于 20 nm 的碳纳米管场效应晶体管，器件的开/关电流比大于 10^6。所制备的单个单壁碳纳米管直径范围为 0.7 nm 至 1.1 nm，采用化学蒸发沉积在结构化催化岛上生长，制成通道。采用电子束光刻技术和 HSQ、calix[6]arene 和 PMMA 电子束光刻胶共同构成短沟道以及源漏区。这些纳米管晶体管在漏源电压仅 0.4 V 时，显示出超过 15 μA 的漏电流。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411177,
title = {Sub 20 nm Short Channel Carbon Nanotube Transistors},
author = {R. V. Seidel and A. P. Graham and J. Kretz and B. Rajasekharan and G. S. Duesberg and M. Liebau and E. Unger and F. Kreupl and W. Hoenlein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411177},
year = {2015}
}
备注
Nano Letters in press