GHz 频率下的单根碳纳米管晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2
摘要
我们报道了顶栅单根碳纳米管晶体管的微波操作。通过对 0.1-1.6 GHz 范围内的传输测量，我们推导出了微米和纳米尺度器件的跨导 和栅极 - 纳米管电容 。在短器件上观察到一个约为 20 microSiemens 的大且与频率无关的 ，这与最佳的直流结果相当。每单位栅极长度的电容为 60 aF/micrometer，这是介电常数为 10 的传统氧化物上顶栅的典型值。该值比纳米管量子电容低 3-5 倍，而根据最近的模拟，这有利于高渡越频率。对于我们最小的器件，我们发现渡越频率高达 50 GHz，且在长度依赖性上没有饱和迹象。
引用
@article{arxiv.0806.0227,
title = {Single Carbon Nanotube Transistor at GHz Frequency},
author = {Julien Chaste and Lorenz Lechner and Pascal Morfin and Gwendal Feve and Takis Kontos and Jean-Marc Berroir and Christian Glattli and Henri Happy and Perti Hakonen and Bernard Placais},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.0227},
year = {2015}
}