缩放碳纳米管阵列场效应晶体管的高频性能
材料科学
2012-08-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了碳纳米管阵列晶体管的射频性能，这些晶体管是通过在完全可扩展的器件平台上对齐组装高度分离的半导体碳纳米管而实现的。在 100 nm 的栅极长度下，我们观察到了输出电流饱和，并分别获得了 7 GHz 和 15 GHz 的实测外在电流增益截止频率和功率增益截止频率。虽然外在电流增益与最先进水平相当，但外在功率增益有所提高。去嵌入后的本征电流增益和功率增益截止频率分别为 153 GHz 和 30 GHz，这是迄今为止实验达到的最高值。我们分析了直流和交流性能参数的一致性，并讨论了碳纳米管阵列晶体管在高频电子学中未来应用的要求。
引用
@article{arxiv.1208.0756,
title = {High-frequency performance of scaled carbon nanotube array field-effect transistors},
author = {Mathias Steiner and Michael Engel and Yu-Ming Lin and Yanqing Wu and Keith Jenkins and Damon B. Farmer and Jefford J. Humes and Nathan L. Yoder and Jung-Woo T. Seo and Alexander A. Green and Mark C. Hersam and Ralph Krupke and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0756},
year = {2012}
}
备注
15 pages, 4 figures + Supplementary Information