碳电子学的终极射频性能潜力
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
基于碳纳米管阵列场效应晶体管（AFET）和二维石墨烯场效应晶体管（GFET）的碳电子学，近年来因其潜在的射频应用而备受关注。本文利用半经典弹道输运模拟，探索了这两种独特器件的终极射频性能潜力。结果表明，在AFET和GFET中，本征电流增益截止频率（fT）和功率增益截止频率（fMAX）均可能超过1 THz。因此，这两种器件都能提供比传统半导体（如硅和III-V族材料）更高的截止频率。就AFET而言，我们表明其射频工作对半导体性管径的变化以及沟道中金属性管的存在并不敏感。观察到AFET的终极fT和fMAX值高于GFET。AFET的最佳器件偏置条件需要较小的偏置电流，因此与GFET相比功耗更低。在存在外部寄生效应的情况下，AFET高频性能的退化程度也低于GFET。
引用
@article{arxiv.1105.1060,
title = {Ultimate RF Performance Potential of Carbon Electronics},
author = {Siyuranga O. Koswatta and Alberto Valdes-Garcia and Mathias B. Steiner and Yu-Ming Lin and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.1060},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 11 figures, 2 tables