场效应晶体管作为太赫兹探测器的性能极限
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1
摘要
我们提出了基于场效应晶体管（FET）在宽带探测模式下太赫兹探测器性能极限的估计。预测了亚阈值区短沟道FET的最大响应度。我们还计算了器件的转换效率Q，定义为辐射诱导直流电流耗散功率与太赫兹耗散功率之比。我们表明，Q作为两个变量（入射辐射的功率和频率）的函数具有绝对最大值。Q的最大值约为10%。
引用
@article{arxiv.1302.7089,
title = {Performance Limits for Field Effect Transistors as Terahertz Detectors},
author = {V. Yu. Kachorovskii and S. L. Rumyantsev and W. Knap and M. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.7089},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures, submitted to APL