用于大动态范围工作的 TeraFET 探测器的 TCAD 模型
应用物理
2019-08-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们给出 AlGaAs/InGaAs 与 AlGaN/GaN 以及硅 TeraFET（等离子体场效应晶体管（FET））用于太赫兹（THz）探测的工艺计算机辅助设计（TCAD）模型，并在宽动态范围内得到验证。建模结果与 AlGaAs/InGaAs 异质结构 FET（HFET）的实验数据吻合良好，并在动态范围低端处与 TeraFET 探测器的解析理论一致。这些模型纳入了实验中观测到的高强度 THz 辐射下的响应饱和效应，并揭示了与不同材料体系不同机制相关的响应饱和物理机理。这些机制包括栅极漏电、速度饱和与雪崩效应。
引用
@article{arxiv.1908.04845,
title = {TCAD model for TeraFET detectors operating in a large dynamic range},
author = {Xueqing Liu and Michael S. Shur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.04845},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 9 figures