基于碳化硅上外延石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测
应用物理
2018-05-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了利用碳化硅衬底上生长的外延石墨烯制备的天线耦合场效应晶体管实现的室温太赫兹探测。发现了两种独立的探测机制：等离子体波辅助探测与热电效应，后者归因于FET沟道沿线的结。将计算的等离子体波与热电光电压随栅压变化的函数依赖关系叠加，定性很好地再现了测得的光电压。此外，测得光电压的符号反转表明等离子体波探测比热电机制贡献更强。尽管仍需提高响应度，这些结果表明碳化硅上外延石墨烯制成的等离子体探测器是宏观样品快速大面积成像的潜在候选者。
引用
@article{arxiv.1805.00733,
title = {THz detection with epitaxial graphene field effect transistors on silicon carbide},
author = {F. Bianco and D. Perenzoni and D. Convertino and S. L. De Bonis and D. Spirito and M. S. Vitiello and C. Coletti and M. Perenzoni and A. Tredicucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.00733},
year = {2018}
}