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饱和区中场效应晶体管的太赫兹响应

仪器与探测器 2015-05-18 v1 材料科学

作者: T. A. Elkhatib , V. Yu. Kachorovskii , W. J. Stillman , S. Rumyantsev , X. -C. Zhang , M. S. Shur

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摘要

我们报道了在1.63 THz和室温下深饱和区工作的InGaAs/GaAs HEMTs的宽带太赫兹响应。我们证明，响应随漏源电压（或漏极偏置电流）线性增加，并达到高达170V/W的极高值。我们还发展了一种在欧姆区和饱和区均有效的唯象理论。

关键词

太赫兹响应场效应晶体管饱和区 InGaAs/GaAs HEMTs 唯象理论

引用

@article{arxiv.1004.3740,
  title  = {Terahertz Response of Field-Effect Transistors in Saturation Regime},
  author = {T. A. Elkhatib and V. Yu. Kachorovskii and W. J. Stillman and S. Rumyantsev and X. -C. Zhang and M. S. Shur},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1004.3740},
  year   = {2015}
}

备注

11 pages, 3 figures