基于 HgTe 的晶体管中磁场驱动拓扑相变的太赫兹探测
介观与纳米尺度物理
2018-05-01 v1 材料科学
摘要
我们报道了基于反带结构 HgTe 的场效应晶体管在高达室温下的太赫兹探测。在低温下，我们展示了晶体管沟道中的非线性使得能够观测到 HgTe 二维拓扑绝缘体中零模朗道能级避免交叉所引起的量子相变。这些结果为面向太赫兹拓扑场效应晶体管铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1804.11263,
title = {Terahertz detection of magnetic field-driven topological phase transition in HgTe-based transistors},
author = {A. Kadykov and F. Teppe and C. Consejo and L. Viti and M. Vitiello and D. Coquillat and S. Ruffenach and S. Morozov and S. Kristopenko and M. Marcinkiewicz and N. Dyakonova and W. Knap and V. Gavrilenko and N. N. Michailov and S. A. Dvoretskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.11263},
year = {2018}
}