HfTe5中的拓扑Lifshitz转变与一维Weyl模
材料科学
2023-04-17 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
朗道能带交叉通常源于磁场中电子态的带内演化，并增强其附近的相互作用效应。在此，在拓扑绝缘体HfTe5的极端量子极限下，我们报道了利用磁红外光谱观测到的由带间朗道能级交叉引发的拓扑Lifshitz转变。通过追踪朗道能级跃迁，我们证明能带反转使零级朗道带在4.5 T后相互交叉，并形成基本能隙持续闭合的一维Weyl模。零级朗道能级跃迁活性的异常降低表明在21 T发生拓扑Lifshitz转变，将Weyl模移至费米能级附近。结果，由于一维中的泡利阻塞效应，出现宽且非对称的吸收特征，并伴有显著的负磁电阻率。我们的结果为在块体晶体中实现一维Weyl准粒子提供了策略。
引用
@article{arxiv.2201.06022,
title = {Topological Lifshitz transition and one-dimensional Weyl mode in HfTe5},
author = {Wenbin Wu and Zeping Shi and Yuhan Du and Yuxiang Wang and Fang Qin and Xianghao Meng and Binglin Liu and Yuanji Ma and Zhongbo Yan and Mykhaylo Ozerov and Cheng Zhang and Hai-Zhou Lu and Junhao Chu and Xiang Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.06022},
year = {2023}
}