TaP中磁场隧穿诱导的外尔节点湮灭
强关联电子
2017-11-01 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
外尔节点是三维金属中的拓扑对象。通过研究外尔半金属的高场输运性质，可以揭示其拓扑特性。传统费米口袋的最低朗道能带（LLB）能量由于零点能的存在总是随磁场增加而升高，而外尔锥的LLB则保持在零能量，除非强磁场将手性相反的外尔费米子耦合起来。在外尔半金属TaP中，我们实现了由W1外尔费米子产生的类电子费米口袋之间的这种磁耦合。结果，它们的LLB移动到化学势之上，导致霍尔电阻率在对应于W1外尔节点间距的特定磁场处发生急剧的符号反转。相比之下，尽管具有几乎相同的载流子密度，类空穴口袋却未观察到湮灭现象，因为W2外尔节点的间距要大得多。这些关键发现，辅以其他系统性分析，揭示了高场测量中外尔费米子的非平凡拓扑。
引用
@article{arxiv.1507.06301,
title = {Magnetic tunneling induced Weyl node annihilation in TaP},
author = {Cheng-Long Zhang and Su-Yang Xu and C. M. Wang and Ziquan Lin and Z. Z. Du and Cheng Guo and Chi-Cheng Lee and Hong Lu and Yiyang Feng and Shin-Ming Huang and Guoqing Chang and Chuang-Han Hsu and Haiwen Liu and Hsin Lin and Liang Li and Chi Zhang and Jinglei Zhang and Xin-Cheng Xie and Titus Neupert and M. Zahid Hasan and Hai-Zhou Lu and Junfeng Wang and Shuang Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06301},
year = {2017}
}
备注
the Fig2 and Fig 3 are not compatible with this version