NbAs中靠近费米能的Weyl节点
强关联电子
2022-05-25 v1 材料科学
摘要
非中心对称过渡金属单磷族化物NbP、TaP、NbAs和TaAs是一族Weyl半金属，其中发生自旋分辨能带受保护线性交叉的成对节点。这些所谓的Weyl节点以动量空间中Berry曲率奇点处关联的异号整数拓扑电荷为特征。在此类系统中，理论预言存在反常磁电响应，其仅当交叉点靠近费米能级且被穿透整数Berry曲率通量（称为Weyl袋）的费米面口袋包围时才会出现。TaAs已被证明具有Weyl袋，而TaP和NbP具有包围零净Berry曲率通量的平庸口袋。本文中，通过磁转矩、电阻率和磁化强度测量，我们对NbAs——该族中费米面口袋精确形状与性质仍未知的最后成员——给出了全面的量子振荡研究。我们探测到六个不同的频率分支，其中两个此前未被观测到。与密度泛函理论计算对比表明，两个最大口袋为拓扑平庸，而低频可能源自微小Weyl袋。其所包围的Weyl节点距费米能仅几meV。
引用
@article{arxiv.2105.12090,
title = {Weyl nodes close to the Fermi energy in NbAs},
author = {M. Naumann and F. Arnold and Z. Medvecka and S. -C. Wu and V. Suess and M. Schmidt and B. Yan and N. Huber and L. Worch and M. A. Wilde and C. Felser and Y. Sun and E. Hassinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.12090},
year = {2022}
}