$\mathbf{AM}$Te$_4$ 中 Fermi 能级 Weyl 节点
材料科学
2026-05-08 v1
摘要
Weyl 半导体 Te（=Nb,Ta, =Rh,Ir）的量子振荡和磁阻率的关键方面仍是悬而未决的问题，因而掩盖了其拓扑电子结构与实际应用之间的关联。我们采用广义搜索程序，对 WPs 进行全面扫描，考虑接近 Fermi 能级的所有亚带，并显示这显著改变了这些化合物的 WPs 图景。特别是，我们预测这些化合物拥有位于 Fermi 能级附近几毫 eV 内的 WPs，这显著影响其性质。惊人的是，这些化合物大多数包含超过一种类型的 WPs，其中包括 NbRhTe，其包含 type-I、II 和 III Weyl 点。我们的比较分析不仅提供了这些化合物复杂电子结构的详细图景，也阐明了该系列中量子振荡和磁阻率观察结果，弥合了理论与实验之间的鸿沟，并为精确调控 WPs 提供了框架。
引用
@article{arxiv.2605.05879,
title = {Fermi energy Weyl nodes in $\mathbf{AM}$Te$_4$ ($\mathbf{A}$=Ta, Nb, $\mathbf{M}$=Ir, Rh)},
author = {Shivam Parasar and Jeroen van den Brink and Rajyavardhan Ray},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.05879},
year = {2026}
}
备注
24 pages , 5 figures, supplementary information