拓扑绝缘体表面超导转变中的量子临界点
超导电性
2015-06-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文研究了出现在拓扑绝缘体表面的外尔半金属中的配对现象。结果表明，由于“超相对论性”色散关系，存在一个控制零温超导态转变的量子临界点。从具有局域吸引作用的微观哈密顿量出发，我们利用 Gor'kov 方程计算了任意化学势下超导转变的相图、其磁性质以及接近量子临界点时的临界指数。导出了小化学势下的 Ginzburg-Landau 有效理论，从而可以考虑磁场中序参量的空间依赖效应。GL 方程与传统方程截然不同，反映了该量子相变的手性普适类。单个涡旋的序参量分布也被发现有所不同。接近上临界场的磁化强度被发现是二次方的，而非常规的线性关系。我们讨论了这些结果在近期发现某些三维拓扑绝缘体存在表面超导性的实验中的应用，并估算了声子配对的可行性。
引用
@article{arxiv.1405.5943,
title = {Quantum critical point in the superconducting transition on the surface of topological insulator},
author = {Dingping Li and B. Rosenstein and I. Shapiro and B. Ya. Shapiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.5943},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 6 figures