ZrTe5 中强拓扑绝缘体相的磁输运证据
材料科学
2022-01-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
非平庸能带拓扑的识别通常依赖于直接探测受保护的表面/边缘态。然而，在窄带隙拓扑材料中，由于能量尺度很小（meV），这在电子学上很难实现。在这里，我们证明了能带反转——非平庸能带拓扑的一个关键要素——可以作为一种替代的、实验上可及的指标。我们表明，反转能带可以导致非零朗道能级的四重分裂，这与正常能带中的二重分裂（仅自旋分裂）形成对比。我们在窄带隙强拓扑绝缘体五碲化锆 (ZrTe) 的磁输运实验中证实了我们的预测，在量子振荡中观察到了额外的分裂，并在极端量子极限中观察到了一个异常峰。我们的工作为未来拓扑材料研究中识别能带反转及相关拓扑相建立了一种有效策略。
引用
@article{arxiv.2111.01451,
title = {Magneto-transport evidence for strong topological insulator phase in ZrTe5},
author = {Jingyue Wang and Yuxuan Jiang and Tianhao Zhao and Zhiling Dun and Anna L. Miettinen and Xiaosong Wu and Martin Mourigal and Haidong Zhou and Wei Pan and Dmitry Smirnov and Zhigang Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.01451},
year = {2022}
}