利用场效应晶体管产生与探测太赫兹辐射
其他凝聚态物理
2015-05-27 v1 材料科学
仪器与探测器
等离子体物理
摘要
本文简要概述了应用场效应晶体管产生和探测太赫兹辐射的主要物理思想。FET 中二维等离子体振荡的共振频率随着沟道尺寸的减小而增加，并在亚微米栅长下达到 THz 频段。当迁移率足够高时，短沟道 FET 在 THz 频率下的动力学由等离子体波主导。这可能导致一方面由直流电流自发产生等离子体波，另一方面对入射辐射产生共振响应。在相反的情况下，当等离子体振荡过阻尼时，FET 可以作为高效的宽带 THz 探测器工作。
引用
@article{arxiv.1103.4316,
title = {Generation and detection of Terahertz radiation by Field Effect Transistors},
author = {M. I. Dyakonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4316},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 figures