隧穿实空间转移晶体管的电路建模：迈向太赫兹频率工作
介观与纳米尺度物理
2011-12-12 v1 材料科学
摘要
通过包含隧穿效应的小信号等效电路模型，计算器件共源单位电流增益频率（fT）范围，评估了隧穿实空间转移晶体管（TRSTT）在负微分电阻（NDR）区的高频工作性能。我们的电路模型基于具有不同栅长的In0.2Ga0.8As与δ掺杂GaAs双沟道结构。计算得到的TRSTT fT与实验数据吻合良好，限制因素是δ掺杂GaAs层的电阻。通过优化栅极尺寸和沟道材料，我们发现NDR区的fT接近太赫兹范围，这预示着TRSTT有望用作太赫兹源。
引用
@article{arxiv.1112.1980,
title = {Circuit Modeling of Tunneling Real-Space Transfer Transistors: Toward Terahertz Frequency Operation},
author = {Wen Huang and Xin Yu and Shi-Lin Zhang and Lu-Hong Mao and Jean-Pierre Leburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1980},
year = {2011}
}