1T-TaS$_2$/2H-MoS$_2$ T 型结中具有高峰值电流密度且可由栅极与光调谐的负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2020-08-12 v2 材料科学
应用物理
摘要
金属基电子学因快速与抗辐射电子电路而具吸引力，并仍是研究人员长期追求的目标之一。1T-TaS 是一种层状材料，表现出可由电场与光脉冲等外部刺激控制的强电荷密度波（CDW）驱动电阻切换，其出现重新引发了人们对金属电子学的兴趣。本文中，我们利用非对称设计的 1T-TaS/2H-MoS 范德瓦耳斯异质结构 T 型结中电驱动的 CDW 相变演示了一种负微分电阻（NDR）器件。所提器件的工作原理由多数载流子输运主导，不同于通常采用载流子隧穿的常规 NDR 器件，从而避免了范德瓦耳斯异质结中隧穿效率弱的瓶颈。因此，我们实现了超过 nAm 的峰值电流密度，约为典型层状材料基 NDR 实现的两条数量级之高。该峰值电流密度可有效由外部栅极电压及光门控调谐。器件对环境诱导退化具有鲁棒性，其特征在超过一个月的多次测量中可重复。该发现对实现有源金属基功能电路颇具吸引力。
引用
@article{arxiv.2005.07146,
title = {Gate- and Light-Tunable Negative Differential Resistance with High Peak Current Density in 1T-TaS$_2$/2H-MoS$_2$ T-Junction},
author = {Mehak Mahajan and Kausik Majumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07146},
year = {2020}
}