范德瓦耳斯一维材料 $\mathrm{PdBr_2}$ 的超高击穿电流密度
介观与纳米尺度物理
2023-07-12 v6 材料科学
摘要
一维（1D）范德瓦耳斯（vdW）材料提供了近乎无缺陷的细丝作为场效应晶体管（FET）器件中的沟道材料，并且可能比传统铜具有更好的互连性能，具有更高的电流密度和抗电迁移能力，并可持续缩小尺寸。我们报道了一种新的基于卤化物的“真正”一维少链原子线 PdBr，可从体相中分离出来，其体相结晶于单斜空间群 C2/c。液相剥离得到的纳米线平均长度为 (201)m，转移到 SiO/Si 晶圆上最大长宽比为 5000，证实了垂直于链方向的解理能较低。此外，孤立纳米线可承受 200 MA/cm 的电流密度，至少比典型铜互连高一个数量级。然而，通过导电原子力显微镜（CAFM）针尖沿单链横向进行的局域输运测量记录到低得多的电流密度，这是由于各向异性的电子能带结构。虽然纳米物体的一维性质可与非平庸的集体量子行为相关联，但 vdW 性质可能有利于在集成电路（IC）中以更好控制放置的方式为互连制造策略提供新途径。
引用
@article{arxiv.2209.03296,
title = {Ultrahigh breakdown current density of van der Waals One Dimensional $\mathrm{PdBr_2}$},
author = {Bikash Das and Kapildeb Dolui and Rahul Paramanik and Tanima Kundu and Sujan Maity and Anudeepa Ghosh and Mainak Palit and Subhadeep Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.03296},
year = {2023}
}