石墨烯双势垒共振隧穿二极管中背栅控制的最低工作窗口的负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2013-03-12 v2
摘要
我们从理论上研究了基于足够短且宽的石墨烯条带的双势垒共振隧穿二极管中无质量和有质量 Dirac 费米子的负微分电阻 (NDR)。在旋转赝自旋空间中计算的电流 - 电压特性表明，仅在无质量情形下具有适当结构参数时才出现 NDR 特征，且峰谷电流比可通过可调带隙呈指数增强。值得注意的是，最低 NDR 工作窗口几乎与结构无关，且可几乎完全由背栅控制，这在以工作窗口为关键参数的 NDR 器件中具有潜在应用。
引用
@article{arxiv.1210.2033,
title = {Negative differential resistances with back gate-controlled lowest operation windows in graphene double barrier resonant tunneling diodes},
author = {Yu Song and Han-Chun Wu and Yong Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2033},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 5 figures