双层石墨烯中原子尺度负微分电阻的可视化
材料科学
2015-06-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用扫描隧道显微镜研究了碳化硅上双层石墨烯的原子尺度隧道特性。高分辨率隧道谱揭示了在狄拉克能量处存在意想不到的负微分电阻（NDR），且该现象在双层石墨烯的单胞内呈现空间变化。NDR 的起源被解释为横向电场下双层石墨烯电子谱中出现的两个近隙范霍夫奇点，它们强烈局域于不同层中的两个子晶格上。此外，发现隧道接触附近的缺陷通过电子干涉对 NDR 产生强烈影响。我们的结果提供了对双层石墨烯中量子隧穿的原子级理解，并构成了迈向基于石墨烯的隧道器件的有用一步。
引用
@article{arxiv.1301.0270,
title = {Visualizing Atomic-Scale Negative Differential Resistance in Bilayer Graphene},
author = {Keun Su Kim and Tae-Hwan Kim and Andrew L. Walter and Thomas Seyller and Han Woong Yeom and Eli Rotenberg and Aaron Bostwick},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.0270},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures, accepted for publication in Physical Review Letters