石墨烯双铁磁势垒中的自旋可选、区域可调负微分电阻
介观与纳米尺度物理
2018-01-26 v2
摘要
我们提出了一种可以产生自旋相关负微分电阻（NDR）的石墨烯器件。该器件由一块足够宽且短的石墨烯和沉积在其顶部的两个门控 EuO 条带组成。该方案避免了先前方案所需的石墨烯边缘裁剪。更重要的是，我们发现了自旋相关 NDR 中明显的自旋选择性和区域可调性的重要迹象：通过改变器件的顶栅，可以分别实现仅自旋向上、仅自旋向下或两种自旋（顺序发生）的 NDR；同时，每种情况下 NDR 区域的中心位置都可以在很宽的偏压范围内进行单调调节。这些显著特征归因于器件中自旋相关共振能级的门控可控性，进而分别决定了它们相对于源电极中费米能级和狄拉克点的偏离。它们为传统的基于 NDR 的器件增加了自旋和偏压自由度，为设计全新的一类 NDR 电路铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1709.06038,
title = {Spin-selectable, region-tunable negative differential resistance in graphene double ferromagnetic barriers},
author = {Yu Song and Yang Liu and Xiaolong Feng and Fei Yan and Wei-Zhi Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.06038},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 6 figures; ACCEPTED by Physical Chemistry Chemical Physics